Samsung Galaxy Note 7 rerfurbish lộ hiệu năng mạnh mẽ
 

Điểm số lõi đơn và đa lõi của điện thoại Samsung Galaxy Note 7 rerfurbish đã được hé lộ, không thua kém gì so với Samsung Galaxy S8.

Galaxy Note 7 bản tân trang là phiên bản thay thế cho loạt Galaxy Note 7 bị “khai tử” vào hồi cuối năm trước của Samsung do lỗi pin. Cấu hình của hai mẫu Smartphone này là tương tự nhau.
Xem thêm: Samsung Galaxy A5

Trang kiểm tra hiệu năng Geeckbench 4.1 mới đây đã kiểm tra điểm số lõi đơn và đa lõi của Galay Note 7, số điểm rò rỉ lần lượt là 1957 và 6092 điểm. Điều đặc biệt là, điểm số lõi đơn của sản phẩm cao hơn nhiều so với Samsung S8 chạy chip Snapdragon 835 (1832 điểm) và thấp hơn S8 + chạy chip Exynos 8895 không nhiều (1986 điểm).
Tuy nhiên, dung lượng pin của bản tân trang được cho là sẽ giảm xuống còn 3000 hoặc 3200mAh thay vì 3500mAh như bản gốc.